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MOS管分为N沟型MOS管和P沟型MOS管
N沟型 P沟型
N沟型：漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作。
P沟型：漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。
MOS管和普通晶体三极管相比，有诸多的优点，但是在作为大功率开关管应用时，由于MOS管具有的容性输入特性，MOS管的输入端，等于是一个小电容器，输入的开关激励信号，实际上是在对这个电容进行反复的充电、放电的过程，在充放电的过程中，使MOS管道导通和关闭产生了滞后，使“开”与“关”的过程变慢，这是开关元件不能允许的(功耗增加，烧坏开关管)。
示例：
在这个半桥驱动电路中，Q1导通，Q2截止，此时我想让Q1截止Q2导通，肯定是要先让Q1截止一段时间之后，再等- -段时间才让Q2导通，那么这段等待的时间就称为死区时间，因为Q1关闭需要时间(由MOS管的工艺决定)。如果Q1关闭之后，马.上打开Q2，那么此时一段时间内相当于Q1和Q2都导通了，这样电路会短路。.
由电路图可知Q1和Q2都为N沟型MOS管，是否导通由HO和LO口输出的电平高低决定，如果输出电平则会导通。
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