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1.截止状态:当b-e结反偏、零偏、浅正偏(指琐然正偏,似正向压降小于门槛电压)时Ib=0.Ic=Ice≈0,三极管截止,此时Rce内阻为无穷大,Vce约等于电源电压。
2.导通放大状态:当be正偏、bc反偏;且Vbe大于门槛电压时为导通放大状态,此时Vc>Vb>Ve.且Vbe=0.7V。导通后Rce减小,导通越深,Rce内阻越小.Vce越小。在放大状态,Ib能控制Ic.即具有电流放大作用(实质上是以小控大)。
3.饱和状态:.当导通加深,使Vc小于Vb至集电结刚好达到正偏(不是Vbc>0,而是Vbc=Vbc(on),NPN硅管Vbc(on)=0.4V)事,三极管处于临界饱和。临界点特点:1:Vce很小约0.3V(Vce(sat)=Vcb+Vbe=-Vbc+Vbe=-0.4+0.7=0.3V),因此相当于C,E极间短路或电阻很小。2:Vce很小变化就使Ice急剧改变3:Ib与Ic在临界时仍可用Ic=βIb,但进入饱和Ic<βIb.
当进入饱和时,be、bc均正偏,且Vbe约0.7V,Vces(饱和压降)降至最小,约0.1~0.3V,Rce最小,Ic最大,Ib不能再控制k,即三极管失去了电流放大能力。
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