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文章目录

前言
推荐的学习资料
复习要点
==第一模块电路分析基础==
==第二模块模拟电子技术基础==
==第三模块数字电子技术基础==
结语

前言

本文针对《电工电子技术（第4版）》——徐淑华，此书进行简单知识总结。

本文可能对快速回忆知识点和预习有所帮助，但是更深理论知识还需要大家多刷题，多看定义。

复习要点

KVL、KCL、叠加原理、戴维南定理
二极管、三极管（晶体管）、基本放大电路、集成运放
进制转换、卡诺图化简、常见组合逻辑、JK触发器、异步同步时钟

第一模块电路分析基础

小知识点

电源（或信号源）：提供电能或信号
负载：吸收或转换电能，对信号进行处理
电位：在电路中选某一点为参考点，把任一点到参考点的电压称为该点的电位。
电路符号为电源在电路中不一定起电源的作用，电路符号为负载在电路中不一定起负载的作用。
理想电压源 :(a) 电源两端电压由电源本身决定，与外电路无关； (b) 通过它的电流是任意的，由外电路决定。
理想电流源:(a) 电源电流由电源本身决定，与外电路无关； (b) 电源两端=电压是任意的，由外电路决定。
齐性定理:线性电路中，所有激励(独立源)都增大(或减小)同样的倍数，则电路中响应(电压或电流)也增大(或减小)同样的倍数。
二端网络：若一个电路只通过两个输出端与外电路相联，则该电路称为“二端网络”。(Two-terminals = One port)

电位

参考方向

参考方向小练习

电路中，有的电路设备起电源作用，是电源性质，发出功率。有的电路设备起负载作用，是负载性质，吸收功率。

电压的三种表达方式

恒压源与恒流源特性比较

电容

电感

无源元件小结

当U为直流电压时,电感L看成短路，电容C看成断路

理想受控源

电压源电压或电流源电流不是给定的时间函数，而是受电路中某个支路的电压(或电流)的控制。

电路符号

理想受控源的分类

受控电源与独立电源的比较

(1) 独立源电压(或电流)由电源本身决定，与电路中其它电压、电流无关，而受控源电压 (或电流 )直接由控制量决定。

(2) 独立源作为电路中“激励”，在电路中产生电压、电流，而受控源只是反映输出端与输入端的关系，在电路中不能作为“激励”。

基尔霍夫定律

一组概念

支路 (branch)：电路中通过同一电流的每个分支 (b)
结点 (node)：三条或三条以上支路的连接点( n )
路径(path)：两节点间的一条通路。路径由支路构成
回路(loop)：由支路组成的闭合路径。
网孔(mesh)：回路内部不另含支路的回路

基尔霍夫电流定律（KCL）

注意:

①KCL：是电荷守恒和电流连续性原理在结点处的体现；结点不消耗也不储存电荷；

②KCL：是对结点处支路电流施加约束，与支路上接的是什么元件无关，与电路是线性还是非线性无关；

③KCL：是按电流参考方向列写的，与电流实际方向无关。计算时才体现参考方向和实际方向的差异。

基尔霍夫电压定律（KVL）

列写方法：

假设各元件电压参考方向
设定回路绕行方向，顺时针或逆时针
根据参考方向和第一公式列写

注意

①KVL：是电路的能量守恒的体现;

②KVL：是对回路中的支路电压施加约束，与回路各支路上接的是什么元件无关，与电路是线性还是非线性无关；

③KVL：是按电压参考方向列写，与电压实际方向无关。计算时，才体现参考方向和实际方向的差异。

等效变换法

电阻的等效变换法

化简方法

正确判断串并联的关系
尽量缩短短路线。
等电位点的处理。（可开路或短路处理）

电源的等效变换法

串并联

理想电压源的串并联

理想电流源的串并联

电压源与电流源的相互转化

注意前后电流电压方向

电压源电流不是由自身决定，电流源电压不是由自身决定。正确理解是，电流源于电阻并联，Ur=10V，==> I = 5A ==> 流过电压表的电流为5-2=3A

输入电阻

叠加原理

定义：在多个电源同时作用的线性电路中，任何支路的电流或任意两点间的电压，都是各个电源单独作用时所得结果的代数和。
线性电路：电路中不含有任何非线性元件
电源的单独作用：电路中每次只保留一个电源作用，其余电源均置零。电压源置零指把理想电压源短路，电流源置零指把理想电流源断路。

叠加原理只能用于电压或电流的计算，不能用来求功率，即功率不能叠加。如：

戴维南定理

诺顿定理

算到戴维南等效电路，将电压源转变成电流源即可，这里就不展示了。

第二模块模拟电子技术基础

小知识点

导体：自然界中很容易导电的物质，例如金属。
绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电，如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。
半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质，例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。

半导体的特点

当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。

往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。

纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体，如：硅和锗。
杂质半导体:在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。
在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。
电流＝自由电子定向运动＋空穴定向运动
室温本征半导体的导电能力是很弱的。本征载流子浓度随温度升高近似按指数规律增大，其导电性能对温度的变化很敏感。
杂质半导体中多数载流子浓度取决于掺杂浓度；少数载流子浓度取决于温度
杂质半导体中起导电作用的主要是多子。
PN结的单向导电特性当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。
- 外加正向电压Uf促使PN结转化为导通状态，正向电流较大，结电阻很低。
- 外加反向电压UR 促使PN结转化为截止状态，反向电流很小，结电阻很高。

二极管

二极管的伏安特性将二极管分为三种状态——截止、导通和击穿
压降：硅管约为(0.6~0.7)V，锗管约为(0.2~0.3)V
一般情况下，锗管反向电流I R ＞硅管I R 反向电流。

二极管理想模型：

外加正向电压时，二极管导通，可看作短路；
外加反向电压时，二极管截止，可看作开路。

1. 二极管整流

2. 二极管导通

注意Uo的正负极

3. 稳压二极管

三极管（晶体管）

注意，NPN型三极管电流，两进一出，出为i_E；PNP型三极管电流，一进两出，入为i_E

判断三极管极性和类型

基本放大电路

静态等效电路画法

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基本放大电路的静态分析

KVL的使用

动态等效电路画法

晶体管微变等效电路

r_be=200+26?/I_c

26的单位是mV，I_c单位是mA

输入电阻近似为晶体管的输入电阻。

集成运算放大器

求解方法

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电压跟随器

第三模块数字电子技术基础

小知识点

数制

二进制(Binary)：0,1
十进制(Decimal)：0,1,2,3,4,5,6,7,8,9
十六进制(Hex)：0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,E,F

码制

一、基本逻辑运算

与逻辑（AND &）

真值表

A	B	F
0	0	0
0	1	0
1	0	0
1	1	1

或逻辑(OR)

真值表

A	B	F
0	0	0
0	1	1
1	0	1
1	1	1

推论：A+0=A A+1=1 A+A=A

非逻辑

真值表

A	F
0	1
1	0

二、复合逻辑门

与非逻辑（ NAND ）

或非逻辑（ NOR ）

异或逻辑（ XOR ）

同或逻辑

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三、三态输出与非门电路

基本运算

1. 基本运算定律

2. 基本运算规则

逻辑表达式

1. 逻辑函数表示形式的转换

2. 逻辑函数的化简

①代数化简法

②卡诺图化简法

知识点：

高位写在前
偶数个则平分
奇数个则高位的那一组比低位的那一组少一个
注意相邻位只改变一个数字（00，01，11，10这样，千万不要把11和10顺序写反了）
最小项：标准与或表达式是一种特殊的与或表达式，其中的每个与项都包含了所有相关的逻辑变量，每个变量以原变量或反变量出现一次且仅出现一次，这样的与项称为标准与项，又称最小项。

图片说明：

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化简步骤和原则：
步骤：

将原始函数用卡诺图表示
根据最小项合并规律画卡诺圈，圈住全部“1”方格
将上述全部卡诺圈的结果，“或”起来即得化简后的新函数；
由逻辑门电路，组成逻辑电路图

原则：

所画的圈必须包含所有的1
每个圈中包含2ⁿ个1，且至少有一个1是新的
任一圈中都不能包含取值为0的方格；
圈的个数越少越好，圈越大越好

图片说明（打钩的要格外注意）：

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