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关于balun的一些仿真和思考
为了提高共模抑制能力,很多芯片的输入输出口会设计成差分口,在射频电路中也是如此。最近在项目测试中,一个关于balun的问题困扰了我很久,迟迟没有想明白。
我爸说:“当一个问题你久久思考却毫无头绪时,你就暂时放一放。也许有天突然开窍,你就想明白了。”
然后,今天我就突然想明白了,那么我们回归正题,说说我遇到的问题。
1、错误的初始设计,电路图如下:
IC端的差分输入端口是一个相对较高的阻抗(对于射频50ohm系统而言),balun嘛,就是一个阻抗变换的元件,那么如果差分端的阻抗是400ohm,对于1:1的balun而言,那么从单端看入的阻抗也是400ohm咯,为了使Term1端口匹配(在实际中,Term1就是我们的测试端口),就简单粗暴的在单端并接了50ohm到地。
让我们来看看,这样接之后端口的S11参数如何?
欸?匹配怎么会这么差?
2、来看看ADS里,理想balun的仿真结果
S11参数-24.6dB(匹配的很好!)
3、将原电路的50ohm并接在balun的差分端,而非单端,再看看仿真结果。
此时S11=-34.8dB也非常好。大功告成?over?
我们来看看S22如何?
几乎处于完全失配的状况~
4、那么为什么出现上述情况呢?
- 仿真中理想的balun是一个任意阻抗变换器,从阻抗变换的角度去思考,确实S11参数很好;仿真结果与推论吻合!
- 实际上,我们现实中使用的balun并不是任意阻抗变换器!在射频系统/电路中,1:1的balun,就是从50ohm变到50ohm,其变化仅仅由差分变为单端,1:2的balun,就是从100ohm变到50ohm,差分转单端。所有的指标测试结果,比如:端口驻波比,幅度/相位平衡度都是在端口阻抗满足要求的条件下得到的。
- 在差分端并接50ohm,对于1:1的balun确实强行使term1 处S参数变得很好,但在IC的差分端发生了严重的反射,因为ZOUT=25ohm,而ZL=400ohm,计算得:
是不是与仿真结果的1.06非常接近~~
5、我们应该如何去做呢?
正确做法是在balun的差分端和负载间,插入匹配网络,实现真正意义上的匹配。仿真可看到,经过匹配之后,S11,S22均小于-10dB。
6、总结:
1、实际的balun并不是任意阻抗变换器。
2、在balun的使用中,一定要让balun的端口处于端接50ohm的状态,如果不是,加匹配使之变到50ohm。
7、后记之答疑
因为写这篇文章的时间很早,后来博主又学习了一下关于巴伦的知识。有了更深刻的理解。看了评论区大家的疑惑,对此做出以下解答。
1、关于1:1balun、1:2balun…指的到底是什么?
答:对于微带线巴伦来说,1:1balun单端50Ω转差分50Ω;1:2balun单端50Ω转差分100Ω
对于很多陶瓷封装的 RF巴伦,我们不能用变压器电压电流的关系去理解阻抗变换,而要用微带线理论,用特性阻抗的思想去理解。推荐博文: 关于巴伦——Marchand巴伦.
so,why?
对于微带线巴伦,如果两侧的端接阻抗不是其镜像阻抗(关于镜像阻抗的概念,可参考微带滤波器微波滤波器——镜像参量法(二).)(我感觉我好像越解释越复杂,但微波理论就是这样,相似相通,maxwell方程才是王道。)
举个例子:1:2巴伦,如果单端端接40欧,差分端端接80欧,阻抗比仍然是1:2,但其射频性能就会发生变化,比如巴伦的幅度平衡就会受到破坏。只有单端端接50欧,差分端端接100欧,才能保证其正常的RF性能。
2、差分50Ω是不是单端25Ω?
答:可以这么认为!更具体的说,差分50Ω指单端对地25Ω;同样的,差分100Ω指单端对地50Ω
如有疑惑,欢迎留言~
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